基本情報/Basic Information

開講科目名 ／Course	半導体材料プロセス工学特論／Semiconductor Materials and Process Technology
時間割コード ／Course Code	S231001004
ナンバリングコード ／Numbering Code
開講所属 ／Course Offered by	理工学研究科／
曜日コマ ／Day, Period	月／Mon　4
開講区分 ／Semester offered	前期／first semester
単位数 ／Credits	2.0
学年 ／Year	1,2,3
主担当教員 ／Main Instructor	中澤 日出樹／NAKAZAWA HIDEKI
科目区分 ／Course Group	大学院（博士後期課程）　機能創成科学専攻
教室 ／Classroom
必修・選択 ／Required/Elective	選択
授業形式 ／Class Format	講義科目
メディア授業 ／Media lecture	－

担当教員情報/Instructor Information

教員名 ／Instructor	教員所属名 ／Faculty/Department
中澤 日出樹／NAKAZAWA HIDEKI	理工学研究科／

難易度（レベル） ／Level	レベル5
対応するＤＰ ／DP	DP1･DP2･DP3
授業としての具体的到達目標 ／Concrete arrival target as the class	〇エピタキシャル成長技術や各種薄膜作製技術について説明できる。 〇材料・デバイスプロセス評価技術について説明できる。
授業の概要 ／Summary of the class	各種半導体材料および半導体デバイスの製造プロセスについて学びます。具体的には、半導体材料の基礎、半導体デバイスの製造プロセスの概要、エピタキシャル成長技術などの材料・デバイスプロセスおよび評価技術、現行技術の課題と新技術を扱います。エピタキシャル成長技術や各種薄膜作製技術、特に化学気相成長法、分子線エピタキシー法等について、成長メカニズム等の最近の話題について学ぶことができます。材料・デバイスプロセスにおける評価法（電気特性、結晶構造評価等）についての知識が得られます。また、シリコンカーバイド（SiC）やダイヤモンドなどをはじめとする先端材料およびそのプロセス技術についての知識が得られます。
授業の内容予定 ／Contents plan of the class	半導体材料の基礎、半導体デバイスの製造プロセスの概要、エピタキシャル成長技術などの材料・デバイスプロセスおよび評価技術、現行技術の課題と新技術について講義します。 第1回：半導体材料の基礎(1) 第2回：半導体材料の基礎(2) 第3回：半導体材料の基礎(3) 第4回：半導体デバイスの製造プロセスの概要(1) 第5回：半導体デバイスの製造プロセスの概要(2) 第6回：材料・デバイスプロセス(1) 第7回：材料・デバイスプロセス(2) 第8回：材料・デバイスプロセス(3) 第9回：材料・デバイスプロセス(4) 第10回：材料・デバイスの評価技術(1) 第11回：材料・デバイスの評価技術(2) 第12回：材料・デバイスの評価技術(3) 第13回：先端材料およびそのプロセス技術(1) 第14回：先端材料およびそのプロセス技術(2) 第15回：先端材料およびそのプロセス技術(3)
成績評価方法及び採点基準 ／A scholastic evaluation method and marking standard	レポート（50％）および発表・討論（50%）により評価されます。
予習及び復習等の内容 ／Contents such as preparations for lessons and the review	輪講の担当部分の予習をしてきてください。 担当部分以外の復習をしてください。
教材・教科書 ／The teaching materials, textbook	関連論文等を配布します。
参考文献 ／bibliography	関連論文等を配布します。
留意点・予備知識 ／Point to keep in mind, back ground	物理・化学に関する予備知識を必要とします。
授業内容に関する質問・疑義等 ／Question, doubt about class contents	月曜日16：30～17：30（理工学部2号館701号室）
Eメールアドレス・HPアドレス ／E-mail address, HP address	Eメールアドレス：hnaka@hirosaki-u.ac.jp
学問分野1（主学問分野） ／Discipline 1	C21:電気電子工学およびその関連分野
学問分野2（副学問分野） ／Discipline 2	D30:応用物理工学およびその関連分野
学問分野3（副学問分野） ／Discipline 3	D26:材料工学およびその関連分野
地域志向科目 ／Local intention subject	なし
授業形態・授業方法 ／Class form, class method	専門書による輪講、講義形式
科目ナンバー ／The subject number
メディア授業による著作物利用の有無について ／Whether or not copyrighted works are used in media classes	有／Yes
その他 ／Others	Teamsを用いて授業を行うので，アプリをインストールしておいてください。履修登録の情報をもとに，Teams上に履修者として登録するので，Teamsにログインし，本科目が登録されているか確認してください。なお，登録されていない場合は，学務部教務課（Email : h-gakumu@hirosaki-u.ac.jp ）へ問い合わせてください。

No.	回（日時） ／Time (date and time)	主題と位置付け（担当） ／Subjects and instructor's position	学習方法と内容 ／Methods and contents	備考 ／Notes
該当するデータはありません