シラバス参照

基本情報／Basic Information
詳細情報／Detailed Information
授業計画詳細情報／Class Schedule Details

基本情報/Basic Information

開講科目名／Course	半導体物理学特論／Semiconductor Physics
時間割コード／Course Code	S241000020
ナンバリングコード／Numbering Code
開講所属／Course Offered by	理工学研究科／
曜日コマ／Day, Period	金　3
開講区分／Semester offered	前期／first semester
単位数／Credits	2.0
学年／Year	1,2
主担当教員／Main Instructor	小豆畑敬／AZUHATA TAKASHI
科目区分／Course Group	大学院（博士前期課程）　専門科目
教室／Classroom
必修・選択／Required/Elective	選択
授業形式／Class Format	講義科目
メディア授業／Media lecture	－

担当教員情報/Instructor Information

教員名／Instructor	教員所属名／Faculty/Department
小豆畑敬／AZUHATA TAKASHI	理工学研究科／

難易度（レベル）／Level	レベル5
対応するＤＰ／DP	DP1･DP2
授業としての具体的到達目標／Concrete arrival target as the class	○主な半導体のエネルギーバンド構造を理解する。（DP1・DP2） ○半導体中の電子の散乱過程を理解する。（DP1・DP2） ○半導体中の強電場効果を理解する。（DP1・DP2）
授業の概要／Summary of the class	半導体のバンド構造および半導体中の電子の散乱過程、強電場効果について学びます。主要な半導体の一つであるGaAsに対し、k・p摂動法を用いてスピン・軌道相互作用を考慮してΓ点近傍のバンド構造を計算すると、価電子帯の頂上付近で三つのバンド（軽い正孔バンド、重い正孔バンド、スピン・軌道スプリットオフバンド）が存在することがわかります。半導体中を運動する電子や正孔は、格子振動や不純物、格子欠陥などによって散乱され、移動度は制限されます。各散乱過程によって移動度の温度依存性が異なるため、支配的な散乱過程が温度とともに変化することがわかります。半導体に強い電場を印加したときにオームの法則からのズレが観測されることがわかります。
授業の内容予定／Contents plan of the class	第１回 4/12（金）半導体の基礎第２回 4/19（金）格子振動、格子欠陥第３回 4/26（金）固体のバンド理論（１）第４回 5/10（金）固体のバンド理論（２）第５回 5/17（金）固体のバンド理論（３）第６回 5/24（金）固体のバンド理論（４）第７回 5/31（金）固体のバンド理論（５）第８回 6/7（金）固体のバンド理論（６）第９回 6/14（金）静電磁場中の電子伝導第１０回 6/21（金）半導体中の電子の散乱過程（１）第１１回 6/28（金）半導体中の電子の散乱過程（２）第１２回 7/5（金）半導体中の電子の散乱過程（３）第１３回 7/12（金）半導体中の電子の散乱過程（４）第１４回 7/19（金）半導体中の強電場効果（１）第１５回 7/26（金）（最終回）半導体中の強電場効果（２）授業の進行状況等によってシラバスと実際の内容が異なる場合には、その都度説明します。
成績評価方法及び採点基準／A scholastic evaluation method and marking standard	平常評価（小テストなど）：40% 期末評価（期末レポート）：60% 上記を合算して最終的な成績評価を行う予定です。
予習及び復習等の内容／Contents such as preparations for lessons and the review	各回の予定内容および授業の進行状況を参考にして、授業実施時までに該当箇所について自分で調べてみましょう。授業実施後には十分に復習を行ってください。（予習・復習は、最低でも各2時間程度行う必要があります。）
教材・教科書／The teaching materials, textbook	教科書は使用しません。授業中、適宜プリントが配布されます。
参考文献／bibliography	御子柴宣夫、半導体の物理［改訂版］、1991年、培風館
留意点・予備知識／Point to keep in mind, back ground	固体物理学、半導体物理学、量子力学を履修済みであることが望ましいです。
授業内容に関する質問・疑義等／Question, doubt about class contents	月曜 16:00～17:00
Eメールアドレス・HPアドレス／E-mail address, HP address	azuhata[at]hirosaki-u.ac.jp [at]を@に替えてください。
学問分野1（主学問分野）／Discipline 1	B13:物性物理学およびその関連分野
学問分野2（副学問分野）／Discipline 2	該当なし
学問分野3（副学問分野）／Discipline 3	該当なし
地域志向科目／Local intention subject	なし
授業形態・授業方法／Class form, class method	プロジェクターを使用します。メディア授業になった場合はTeamsを使用します。
科目ナンバー／The subject number	0
メディア授業による著作物利用の有無について／Whether or not copyrighted works are used in media classes	有／Yes
その他／Others	特になし。

No.	回（日時）／Time (date and time)	主題と位置付け（担当）／Subjects and instructor's position	学習方法と内容／Methods and contents	備考／Notes
該当するデータはありません

開講科目名／Course	半導体物理学特論／Semiconductor Physics
時間割コード／Course Code	S241000020
ナンバリングコード／Numbering Code
開講所属／Course Offered by	理工学研究科／
曜日コマ／Day, Period	金　3
開講区分／Semester offered	前期／first semester
単位数／Credits	2.0
学年／Year	1,2
主担当教員／Main Instructor	小豆畑敬／AZUHATA TAKASHI
科目区分／Course Group	大学院（博士前期課程）　専門科目
教室／Classroom
必修・選択／Required/Elective	選択
授業形式／Class Format	講義科目
メディア授業／Media lecture	－

難易度（レベル）／Level	レベル5
対応するＤＰ／DP	DP1･DP2
授業としての具体的到達目標／Concrete arrival target as the class	○主な半導体のエネルギーバンド構造を理解する。（DP1・DP2） ○半導体中の電子の散乱過程を理解する。（DP1・DP2） ○半導体中の強電場効果を理解する。（DP1・DP2）
授業の概要／Summary of the class	半導体のバンド構造および半導体中の電子の散乱過程、強電場効果について学びます。主要な半導体の一つであるGaAsに対し、k・p摂動法を用いてスピン・軌道相互作用を考慮してΓ点近傍のバンド構造を計算すると、価電子帯の頂上付近で三つのバンド（軽い正孔バンド、重い正孔バンド、スピン・軌道スプリットオフバンド）が存在することがわかります。半導体中を運動する電子や正孔は、格子振動や不純物、格子欠陥などによって散乱され、移動度は制限されます。各散乱過程によって移動度の温度依存性が異なるため、支配的な散乱過程が温度とともに変化することがわかります。半導体に強い電場を印加したときにオームの法則からのズレが観測されることがわかります。
授業の内容予定／Contents plan of the class	第１回 4/12（金）半導体の基礎第２回 4/19（金）格子振動、格子欠陥第３回 4/26（金）固体のバンド理論（１）第４回 5/10（金）固体のバンド理論（２）第５回 5/17（金）固体のバンド理論（３）第６回 5/24（金）固体のバンド理論（４）第７回 5/31（金）固体のバンド理論（５）第８回 6/7（金）固体のバンド理論（６）第９回 6/14（金）静電磁場中の電子伝導第１０回 6/21（金）半導体中の電子の散乱過程（１）第１１回 6/28（金）半導体中の電子の散乱過程（２）第１２回 7/5（金）半導体中の電子の散乱過程（３）第１３回 7/12（金）半導体中の電子の散乱過程（４）第１４回 7/19（金）半導体中の強電場効果（１）第１５回 7/26（金）（最終回）半導体中の強電場効果（２）授業の進行状況等によってシラバスと実際の内容が異なる場合には、その都度説明します。
成績評価方法及び採点基準／A scholastic evaluation method and marking standard	平常評価（小テストなど）：40% 期末評価（期末レポート）：60% 上記を合算して最終的な成績評価を行う予定です。
予習及び復習等の内容／Contents such as preparations for lessons and the review	各回の予定内容および授業の進行状況を参考にして、授業実施時までに該当箇所について自分で調べてみましょう。授業実施後には十分に復習を行ってください。（予習・復習は、最低でも各2時間程度行う必要があります。）
教材・教科書／The teaching materials, textbook	教科書は使用しません。授業中、適宜プリントが配布されます。
参考文献／bibliography	御子柴宣夫、半導体の物理［改訂版］、1991年、培風館
留意点・予備知識／Point to keep in mind, back ground	固体物理学、半導体物理学、量子力学を履修済みであることが望ましいです。
授業内容に関する質問・疑義等／Question, doubt about class contents	月曜 16:00～17:00
Eメールアドレス・HPアドレス／E-mail address, HP address	azuhata[at]hirosaki-u.ac.jp [at]を@に替えてください。
学問分野1（主学問分野）／Discipline 1	B13:物性物理学およびその関連分野
学問分野2（副学問分野）／Discipline 2	該当なし
学問分野3（副学問分野）／Discipline 3	該当なし
地域志向科目／Local intention subject	なし
授業形態・授業方法／Class form, class method	プロジェクターを使用します。メディア授業になった場合はTeamsを使用します。
科目ナンバー／The subject number	0
メディア授業による著作物利用の有無について／Whether or not copyrighted works are used in media classes	有／Yes
その他／Others	特になし。

授業情報／Class Information

基本情報/Basic Information

担当教員情報/Instructor Information