シラバス参照

基本情報／Basic Information
詳細情報／Detailed Information
授業計画詳細情報／Class Schedule Details

基本情報/Basic Information

開講科目名／Course	薄膜電子工学特論／Thin film electronics
時間割コード／Course Code	S241000045
ナンバリングコード／Numbering Code
開講所属／Course Offered by	理工学研究科／
曜日コマ／Day, Period	金　4
開講区分／Semester offered	前期／first semester
単位数／Credits	2.0
学年／Year	1,2
主担当教員／Main Instructor	中澤日出樹／NAKAZAWA HIDEKI
科目区分／Course Group	大学院（博士前期課程）　専門科目
教室／Classroom
必修・選択／Required/Elective	選択
授業形式／Class Format	講義科目
メディア授業／Media lecture	－

担当教員情報/Instructor Information

教員名／Instructor	教員所属名／Faculty/Department
中澤日出樹／NAKAZAWA HIDEKI	理工学研究科／

難易度（レベル）／Level	レベル5
対応するＤＰ／DP	DP1･DP2･DP3
授業としての具体的到達目標／Concrete arrival target as the class	○薄膜電子工学は、電子・光デバイスなど、電子情報産業の広範囲に及んでおり、現代の最先端を担っていることを理解します（DP1）。 ○目的に応じて細分化された薄膜技術に共通する基本技術を系統的に理解します（DP2）。 ○薄膜電子工学は半導体デバイスをはじめとする各種デバイスの高性能化や新しいデバイスの開発に大きく貢献していることを認識できるように、電子情報デバイスのための応用技術について理解します（DP3）。
授業の概要／Summary of the class	薄膜電子工学の基本技術および応用技術の全体像の把握と要点を学びます。また、薄膜電子工学にとって薄膜評価技術は薄膜作製技術と共に不可欠な技術であることを学びます。電子・光デバイス用薄膜材料を開発するときに重要となる薄膜技術の全体像と要点を習得することができます。
授業の内容予定／Contents plan of the class	第１回：薄膜成長技術の概要１（物理気相成長法）第２回：薄膜成長技術の概要２（化学気相成長法）第３回：薄膜作製の基本技術１（真空蒸着とスパッタリング技術）第４回：薄膜作製の基本技術２（イオンビーム技術とプラズマ技術）第５回：薄膜作製の基本技術３（反応性成膜技術と組成制御技術）第６回：薄膜作製の基本技術４（ヘテロエピタキシ技術と選択成長技術）第７回：薄膜作製の先端技術１（非整合ヘテロエピタキシ）第８回：薄膜作製の先端技術２（単原子層エピタキシ）第９回：薄膜作製の先端技術３（自己組織化構造とナノ構造制御）第１０回：材料別薄膜成長技術１（電子デバイス材料）第１１回：材料別薄膜成長技術２（光デバイス材料）第１２回：材料別薄膜成長技術３（ワイドギャップ半導体材料）第１３回：薄膜の評価技術１（膜厚、構造評価）第１４回：薄膜の評価技術２（組成評価）第１５回 7/26(金)(最終回)：薄膜の評価技術３（物性評価）
成績評価方法及び採点基準／A scholastic evaluation method and marking standard	レポート（50％）と平常点（50％）で評価します。
予習及び復習等の内容／Contents such as preparations for lessons and the review	輪講の担当部分の予習をしてきてください。担当部分以外を復習してください。
教材・教科書／The teaching materials, textbook	教科書：適宜指定します。
参考文献／bibliography	参考書：図解・薄膜技術日本表面科学会編培風館 Semiconductor Devices -Physics and Technology-，S.M. Sze and M.K. Lee，JOHN WILEY & SONS，INC. その他は適宜指定します。
留意点・予備知識／Point to keep in mind, back ground	物理・化学に関する予備知識を必要とします。
授業内容に関する質問・疑義等／Question, doubt about class contents	月曜日１６：３０～１７：３０理工学部２号館７０１号室
Eメールアドレス・HPアドレス／E-mail address, HP address	Eメールアドレス：hnaka@hirosaki-u.ac.jp
学問分野1（主学問分野）／Discipline 1	C21:電気電子工学およびその関連分野
学問分野2（副学問分野）／Discipline 2	D30:応用物理工学およびその関連分野
学問分野3（副学問分野）／Discipline 3	D29:応用物理物性およびその関連分野
地域志向科目／Local intention subject	なし
授業形態・授業方法／Class form, class method	専門書による輪講、講義形式
科目ナンバー／The subject number	0
メディア授業による著作物利用の有無について／Whether or not copyrighted works are used in media classes	有／Yes
その他／Others	特になし

No.	回（日時）／Time (date and time)	主題と位置付け（担当）／Subjects and instructor's position	学習方法と内容／Methods and contents	備考／Notes
該当するデータはありません

開講科目名／Course	薄膜電子工学特論／Thin film electronics
時間割コード／Course Code	S241000045
ナンバリングコード／Numbering Code
開講所属／Course Offered by	理工学研究科／
曜日コマ／Day, Period	金　4
開講区分／Semester offered	前期／first semester
単位数／Credits	2.0
学年／Year	1,2
主担当教員／Main Instructor	中澤日出樹／NAKAZAWA HIDEKI
科目区分／Course Group	大学院（博士前期課程）　専門科目
教室／Classroom
必修・選択／Required/Elective	選択
授業形式／Class Format	講義科目
メディア授業／Media lecture	－

難易度（レベル）／Level	レベル5
対応するＤＰ／DP	DP1･DP2･DP3
授業としての具体的到達目標／Concrete arrival target as the class	○薄膜電子工学は、電子・光デバイスなど、電子情報産業の広範囲に及んでおり、現代の最先端を担っていることを理解します（DP1）。 ○目的に応じて細分化された薄膜技術に共通する基本技術を系統的に理解します（DP2）。 ○薄膜電子工学は半導体デバイスをはじめとする各種デバイスの高性能化や新しいデバイスの開発に大きく貢献していることを認識できるように、電子情報デバイスのための応用技術について理解します（DP3）。
授業の概要／Summary of the class	薄膜電子工学の基本技術および応用技術の全体像の把握と要点を学びます。また、薄膜電子工学にとって薄膜評価技術は薄膜作製技術と共に不可欠な技術であることを学びます。電子・光デバイス用薄膜材料を開発するときに重要となる薄膜技術の全体像と要点を習得することができます。
授業の内容予定／Contents plan of the class	第１回：薄膜成長技術の概要１（物理気相成長法）第２回：薄膜成長技術の概要２（化学気相成長法）第３回：薄膜作製の基本技術１（真空蒸着とスパッタリング技術）第４回：薄膜作製の基本技術２（イオンビーム技術とプラズマ技術）第５回：薄膜作製の基本技術３（反応性成膜技術と組成制御技術）第６回：薄膜作製の基本技術４（ヘテロエピタキシ技術と選択成長技術）第７回：薄膜作製の先端技術１（非整合ヘテロエピタキシ）第８回：薄膜作製の先端技術２（単原子層エピタキシ）第９回：薄膜作製の先端技術３（自己組織化構造とナノ構造制御）第１０回：材料別薄膜成長技術１（電子デバイス材料）第１１回：材料別薄膜成長技術２（光デバイス材料）第１２回：材料別薄膜成長技術３（ワイドギャップ半導体材料）第１３回：薄膜の評価技術１（膜厚、構造評価）第１４回：薄膜の評価技術２（組成評価）第１５回 7/26(金)(最終回)：薄膜の評価技術３（物性評価）
成績評価方法及び採点基準／A scholastic evaluation method and marking standard	レポート（50％）と平常点（50％）で評価します。
予習及び復習等の内容／Contents such as preparations for lessons and the review	輪講の担当部分の予習をしてきてください。担当部分以外を復習してください。
教材・教科書／The teaching materials, textbook	教科書：適宜指定します。
参考文献／bibliography	参考書：図解・薄膜技術日本表面科学会編培風館 Semiconductor Devices -Physics and Technology-，S.M. Sze and M.K. Lee，JOHN WILEY & SONS，INC. その他は適宜指定します。
留意点・予備知識／Point to keep in mind, back ground	物理・化学に関する予備知識を必要とします。
授業内容に関する質問・疑義等／Question, doubt about class contents	月曜日１６：３０～１７：３０理工学部２号館７０１号室
Eメールアドレス・HPアドレス／E-mail address, HP address	Eメールアドレス：hnaka@hirosaki-u.ac.jp
学問分野1（主学問分野）／Discipline 1	C21:電気電子工学およびその関連分野
学問分野2（副学問分野）／Discipline 2	D30:応用物理工学およびその関連分野
学問分野3（副学問分野）／Discipline 3	D29:応用物理物性およびその関連分野
地域志向科目／Local intention subject	なし
授業形態・授業方法／Class form, class method	専門書による輪講、講義形式
科目ナンバー／The subject number	0
メディア授業による著作物利用の有無について／Whether or not copyrighted works are used in media classes	有／Yes
その他／Others	特になし

授業情報／Class Information

基本情報/Basic Information

担当教員情報/Instructor Information